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11月15日，深重投集团投建的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在中国国际高新技术成果交易会（简称：高交会）上，召开建成发布会。

高交会据介绍，建成发布的深圳综合平台具备碳化硅、氮化镓及超宽禁带功率材料与器件研发、集成设计及试制能力。

深圳综合平台主要由三部分组成：

一、8英寸中试工艺平台，可覆盖第三代功率半导体衬底、外延、器件制备、封装测试、失效分析、可靠性验证全链条，具备研发、中试与产业化能力；

二、功率半导体分析检测中心，将为产业提供全面、细致且高效的服务和解决方案，帮助合作伙伴加速技术创新；

三、自主可控的第三代半导体工程服务平台，提供复杂的计算机仿真、验证、培训、成果转化服务。

除了新平台建成发布，深重投集团今年还在第三代半导体领域开展相应动作。

今年2月，由深重投集团控股企业深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称：重投天科）建设运营的第三代半导体碳化硅材料生产基地在深圳启动。

项目总投资32.7亿元，重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，是广东省和深圳市重点项目、深圳全球招商大会重点签约项目，预计今年衬底和外延产能达25万片。

10月16日，深重投旗下深圳方正微电子有限公司（下文简称“方正微电子”）发布了车规/工规碳化硅MOS 1200V全系产品碳化硅新品，并宣布其8英寸碳化硅产线将于2024年年底通线。

目前，方正微电子旗下有2个Fab。其中，Fab2负责8英寸碳化硅晶圆的生产，长远规划产能为6万片/每月。

随着深圳综合平台的建成，深重投在第三代半导体领域内的影响力有望再加强。

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